Группой исследователей, работающих в Токийском технологическом институте, разработан резонансный туннельный диод, работающий на частоте 1,42 ТГц при комнатной температуре.
Резонансный туннельный диод — двухполюсник, в котором происходит туннелирование носителей заряда через потенциальную яму, ограниченную двумя энергетическими барьерами. Нелинейная вольтамперная характеристика резонансного туннельного диода имеет участок с отрицательной дифференциальной проводимостью. На базе резонансного туннельного диода может быть создан генератор, работающий на очень высокой частоте.
В данном случае, основная частота равна 1,42 ТГц. Немаловажно, что прибор работает при комнатной температуре. До лета 2012 года рекордным было значение 1,08 ТГц, а в сентябре ученым удалось достичь значения 1,31 ТГц.
В новом диоде уменьшено расстояние между энергетическими барьерами и оптимизировано расстояние между барьером и коллектором (анодом). Это помогло сократить время перехода электронов и соответственно повысить частоту. Кроме того, был сформирован вспомогательный барьер на стороне эмиттера (катода), что позволило понизить рабочее напряжение.
Источники: Tech-On!, Токийский технологический институт
