Компания Micron Technology сообщила, что ее микросхема памяти LPDDR4X DRAM объемом 12 ГБ выбрана для использования в референсном дизайне смартфонов на SoC MediaTek Helio P90.
В корпусе микросхемы упаковано 8 кристаллов DRAM плотностью 12 Гбит каждый. Изделие характеризуется малой потребляемой мощностью и высоким быстродействием. Говоря более конкретно, новая память поддерживает скорость до 4266 Мбит/с в расчете на линию.
Применение этой микросхемы позволяет удвоить объем ОЗУ по сравнению с существующими смартфонами, в которых используется предыдущая модель объемом 6 ГБ, не увеличивая число компонентов и размеры печатной платы. Появление смартфонов на базе MediaTek Helio P90 с памятью Micron LPDDR4X в продаже ожидается летом 2019 года.
