Специалисты SK hynix разработали память DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит, рассчитанную на выпуск по нормам 1Z нм

в 8:33, , рубрики: Новости

Компания SK hynix сообщила о разработке памяти DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит, рассчитанной на выпуск по нормам 1Z нм. По словам производителя, это наибольшая плотность одного кристалла DDR4, а с учетом норм достигнут еще и рекордный объем в расчете на одну пластину.

Как утверждается, новое поколение норм 10-нанометрового класса позволяет увеличить выход памяти с каждой пластины примерно на 27% по сравнению с предыдущим поколением 1Y нм. При этом не используется EUV-литография, что положительно сказывается на затратах.

Специалисты SK hynix разработали память DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит, рассчитанную на выпуск по нормам 1Z нм
Специалисты SK hynix разработали память DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит, рассчитанную на выпуск по нормам 1Z нм - 2
Снова первая: у Samsung готова первая в отрасли память DRAM третьего поколения 10-нанометрового класса

Новая память поддерживает скорости до DDR4-3200. Что касается энергетической эффективности, модуль на новых микросхемах потребляет примерно на 40% меньше энергии по сравнению с модулем того же объема, в котором используется память предыдущего поколения плотностью 8 Гбит.

Специалисты SK hynix разработали память DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит, рассчитанную на выпуск по нормам 1Z нм - 3
Micron начинает серийный выпуск DRAM по нормам 1z нм

Серийный выпуск кристаллов памяти DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит по нормам 1Z нм должен начаться в будущем году. Компания также планирует использовать новую технологию для выпуска памяти LPDDR5 и HBM3.

Источник


* - обязательные к заполнению поля


https://ajax.googleapis.com/ajax/libs/jquery/3.4.1/jquery.min.js