Samsung запустил массовое производство модулей памяти eUSF 3.1 емкостью 512 ГБ с улучшенными показателями скорости записи до 1200 МБ/с (против 410 МБ/с у предшественника).
Чипы будут встраиваться во флагманские смартфоны. Как обещает производитель, их характеристики позволят записать файл размером 100 ГБ за 1,5 минуты. Однако скорость чтения по сравнению с eUFS 3.0 практически не изменилась и сохранилась на уровне 2100 МБ/с. Читать полностью »