Метка «22нм»

Вероятное будущее производства микроэлектроники: безмасковая многолучевая электронная литография от Mapper LithographyКто-то вероятно уже слышал о том, что Роснано в конце 2012-го года инвестировала в компанию-разработчика оборудования электронной литографии Mapper Lithography. Что и как они делают, спасет ли это отечественную микроэлектронную промышленность — узнаем в этой статье.

Как мы помним, производство микросхем подразумевает последовательную обработку полупроводниковой пластины через экспонированный слой фоторезиста, изображение на котором обычно формируется оптическим способом: «сканер» через уменьшающий объектив проецирует изображение фотошаблона.

Этот подход имеет ряд недостатков: необходимость изготовления фотошаблонов для каждой новой микросхемы (опустим тут возможность группового производства) — приводит к тому, что продукты обязаны быть крупносерийными, миллионы штук, чтобы окупать стоимость фотошаблонов (до нескольких миллионов $ на каждый тип микросхемы). И с другой стороны — длина волны света ограничивает минимальные размер рисуемых элементов. Сейчас мировая промышленность уже вплотную подошла к теоретическому пределу разрешения оптической литографии: ~35nm для сканеров NA=1.35 с ArF лазерами на длине волны 193нм и ~18нм для литографии на жестком ультрафиолете EUV (однако в серийном производстве это пока не используется).

Есть и альтернатива: экспонировать фоторезист не светом, а электронным пучком — получается электронная литография. Электронный пучок можно фокусировать в точку гораздо меньшего размера, даже 1нм не проблема, но появляются и новые проблемы.

На фотографии — симуляция попадания электрона в электронрезист, демонстрирующая проблему с разрешением электронрезиста из-за рассеяния электронов.Читать полностью »

Китайский институт микроэлектроники создал 22нм транзисторыИнститут микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) объявил о том, что им удалось создать транзистор с длиной затвора 22нм (для сравнения, 22нм транзисторы в процессорах Intel имеют длину затвора 26нм). Транзисторы используют металлический затвор и high-k подзатворный диэлектрик (необходимый чтобы уменьшать ток утечки за счет туннелирования электронов через сверх-тонкий слой подзатворного диэлектрика).

Транзисторы используют не «затвор с 3-х сторон» в стиле Intel, а более традиционные планарные gate-last транзисторы (когда затвор формируется в последнюю очередь).Читать полностью »


https://ajax.googleapis.com/ajax/libs/jquery/3.4.1/jquery.min.js