Рубрика «микроэлектроника»

В свете последних событий (для потомков: гуглим Россия, Украина, 24 февраля 2022), приведших к введению санкций против России в сфере высоких технологий и, в частности, микроэлектроники, я часто слышу вопрос: а что дальше? В каком сейчас состоянии российское микроэлектронное производство? Россия сможет создать полностью локальное производство чипов?

Читать полностью »

В России создадут собственные литографы, поможет ли это отечественной микроэлектронике? - 1

Дисклэймер

Читать полностью »

Прохождение излучения в EUV степпере
Прохождение излучения в EUV степпере

Часто в обсуждениях, посвященных внедрению все более мелких техпроцессов изготовленя СБИС, всплывает тема рентгеновской литографии. Тема довольно сложная, и запутанная, особенно если обсуждать вопрос "кто кого родил - Cymer или ASML. Но этот пост совершенно не про историю.

Читать полностью »

Чего стоит разработать быстродействующий аналого-цифровой преобразователь, почти не имея опыта? Насколько сильно наше отставание в этой области? Есть ли в этой нише шанс найти коммерческое применение своей продукции и отщипнуть хоть кусочек рынка у гигантов мира сего? Выпуская в свет новый 16-битный 80 МГц АЦП, хотим порассуждать на эти темы и рассказать о самой микросхеме и опыте её создания.

image

Читать полностью »

2D-полупроводники спасут закон Мура? - 1

Использование дисульфида молибдена в качестве смазки известно с 17 века, когда переселенцы применяли его для смазывания осей тележек. С 1940-х годов вещество широко используется как компонент смазочных материалов. В природе дисульфид молибдена встречается в виде минерала — молибденита (на фото)

Закон Мура — эмпирическое предположение, что число транзисторов в интегральных схемах удваивается каждые несколько лет. Однако этот закон начал давать сбои, поскольку транзисторы теперь настолько малы, что современные технологии на основе кремния не могут предложить дальнейших возможностей для уменьшения их физических размеров.

Группа учёных из Университета Нового Южного Уэльса (Австралия) и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA) опубликовала описание технологии производства двумерных полупроводников, которые теоретически могут решить проблему.
Читать полностью »

Французский институт CEA-Leti показал, как с помощью кристалла-переходника создать 96-ядерный процессор - 1

17 февраля на Международной конференции по полупроводниковым интегральным микросхемам (International Solid-State Circuit Conference, ISSCC) французский институт CEA-Leti представил новый метод построения многоядерных процессоров. Чиплеты с несколькими ядрами объединяются в крупное устройство размещением их на специальной подложке с активными элементами.

Исследователи как описали теоретический задел для масштабирования системы до 512 ядер, так и подкрепили его 96-ядерным прототипом на 6 чиплетах. Институт назвал несколько достоинств своего решения.
Читать полностью »

Промежуточные техпроцессы, разные типы транзисторов, и множество других вариантов добавляют неопределённости в процесс производства электроники

Производители электроники готовятся к следующей волне передовых техпроцессов, но их клиенты столкнутся с кучей сбивающих с толку вариантов – разрабатывать ли чипы по техпроцессу 5 нм, подождать 3 нм, или выбрать нечто среднее.

Путь к 5 нм хорошо определён, в отличие от 3 нм. После этого ландшафт становится запутанным, поскольку фабрики добавляют промежуточные техпроцессы, типа 6 нм и 4 нм. Переход на любые из этих техпроцессов весьма дорог, а преимущества не всегда очевидны.

Ещё один повод для беспокойства – сжимающаяся производственная база. В случае самых передовых техпроцессов выбор производителей оказывается невелик. В индустрии раньше было несколько ведущих производителей, но со временем эта область сузилась из-за резко возросшей стоимости и сокращения пользовательской базы. В целом, чем меньше производителей, тем меньше вариантов по технологиям и ценнику.
Читать полностью »

image

В третьей части автор оригинальной статьи рассуждает о Зеленограде, памяти и смысле миниатюризации на пальцах.

Disclaimer: огда-то давно и сам баловался написанием статей про изготовление чипов, а в серии статей «Взгляд Изнутри» даже заглядывал внутрь оных, т.е. тема мне крайне интересна. Естественно, я бы хотел, чтобы сам автор оригинальной статьи опубликовал её на Хабре, но в связи с занятостью он разрешил мне перенести её сюда. К сожалению, правила Хабра не разрешают прямую копи-пасту, поэтому я добавил ссылки на источники, картинки и немножко отсебятины и постарался чуть-чуть выправить текст. Да, и статьи (1 и 2) по данной теме от amartology знаю и уважаю.
Читать полностью »

image

В первой части мы рассмотрели вкратце физику кремния, технологии микроэлектроники и технологические ограничения. Теперь поговорим о физических ограничениях и физических эффектов, которые влияют на размеры элементов в транзисторе. Их много, поэтому пройдемся по основным. Здесь придется уже влезть в физику, иначе никак.

Disclaimer: Когда-то давно и сам баловался написанием статей про изготовление чипов, а в серии статей «Взгляд Изнутри» даже заглядывал внутрь оных, т.е. тема мне крайне интересна. Естественно, я бы хотел, чтобы сам автор оригинальной статьи опубликовал её на Хабре, но в связи с занятостью он разрешил мне перенести её сюда. К сожалению, правила Хабра не разрешают прямую копи-пасту, поэтому я добавил ссылки на источники, картинки и немножко отсебятины и постарался чуть-чуть выправить текст. Да, и статьи (1 и 2) по данной теме от amartology знаю и уважаю.
Читать полностью »


https://ajax.googleapis.com/ajax/libs/jquery/3.4.1/jquery.min.js