Метка «dram»

Добрый день!

Вчера Samsung объявила о старте массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. Выпуск этой DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти.

image
Читать полностью »

Добрый день!

Samsung Electronics объявила о своих успехах в разработке первого промышленного энергоэффективного 8-гигабитного модуля мобильной DRAM-памяти, соответствующего стандарту LPDDR4.

Новая память производится на базе тех. процесса 20-нм класса и несет по одному гигабайту на кристалле, что является самым высоким показателем плотности для DRAM-компонентов на сегодняшнем рынке.

image
Читать полностью »

Samsung Electronics объявила о начале серийного производства новой памяти DDR4, которая предназначена для корпоративных серверов, работающих в составе передовых центров обработки данных.

Использование высокоскоростных чипов памяти DRAM в работе корпоративных серверов следующего поколения значительно повышает производительность системы и снижает уровень энергопотребления. Применяя технологии модулей памяти DDR4 на раннем этапе, ОЕМ-производители могут свести к минимуму эксплуатационные расходы и значительно увеличить производительность, обеспечив, таким образом, более быстрый возврат инвестиций.

image
Читать полностью »

Добрый день!

Samsung поставила на поток производство модулей памяти LPDDR3 для мобильных устройств, которые обладают самым большим объемом (3 ГБ) среди конкурентов на рынке. Это стало известно на прошлой неделе: компания вновь оказалась «впереди планеты всей» в техническом и технологическом плане. В серийную штамповку ушли первые в индустрии трехгигабайтные образцы маломощной мобильной DRAM-памяти третьего поколения с удвоенной скоростью передачи данных. До настоящего времени самые современные смартфоны и планшеты базировались на 2 ГБ модулях… что ж, настало время для очередного рывка и смены стандартов.

Коротко о новом: Samsung запускает в массовое производство первые модули памяти LPDDR3 объемом 3 ГБ
Читать полностью »

Изобретатель памяти DRAM получил премию Киото
Читать полностью »

DRAM Errors или не спешите винить Software
Когда компьютер зависает или выдает пресловутый BSOD, как правило, во всем винят программное обеспечение (а также: кривые драйвера и руки недоучившихся программистов, Microsoft и лично Билла Гейтса и т.д.). Но в последние несколько лет ученые начали более пристально присматриваться к аппаратным сбоям, и обнаружили другой серьезный тип проблем, которые проявляются гораздо чаще, чем многие думают. О них и пойдет речь.
Читать полностью »

Статистика отказов в серверной памяти

В 2009 году, на ежегодной научной конференции SIGMETRICS, группа исследователей, работавших в Университете Торонто с данными, собранными и предоставленными для изучения компанией Google, опубликовала крайне интересный документ "DRAM Errors in the Wild: A Large-Scale Field Study" посвященный статистике отказов в серверной оперативной памяти (DRAM). Хотя подобные исследования и проводились ранее (например исследование 2007 года, наблюдавшее парк в 300 компьютеров), это было первое исследование, охватившее такой значительный парк серверов, исчисляемый тысячами единиц, на протяжении свыше двух лет, и давшее столь всеобъемлющие статистические сведения.

Отмечу также, что та же группа исследователей, во главе с аспирантом, а ныне профессором Университета Торонто, Бианкой Шрёдер (Bianca Shroeder) ранее, в 2007 году публиковала не менее интересное исследование, посвященное статистике отказов жестких дисков в датацентрах Google (краткую популярную выжимку из работы Failure Trends in a Large Disk Drive Population (pdf 242 KB), если вам скучно читать весь отчет, можно найти здесь: http://blog.aboutnetapp.ru/archives/tag/google). Кроме того, их перу принадлежит еще несколько работ, в частности об влиянии температуры и охлаждении, и о статистике отказов в оперативной памяти, вызываемой, предположительно, космическими лучами высоких энергий. Ссылки на публикации можно найти на домашней странице Шрёдер, на сервере университета.
Читать полностью »

Samsung Electronics продолжает активно усовершенствовать свои решения для мобильных устройств следующего поколения. Несколько дней назад стало известно, что компания начала массовое производство первой в отрасли двухгигабайтной памяти третьего поколения с низким энергопотреблением и удвоенной скоростью передачи данных (LPDDR3). При ее создании использовался 30-нанометровый техпроцесс. 18 сентября новое решение было продемонстрировано на Samsung Mobile Solution Forum.

Коротко о новом: Samsung запускает в массовое производство третье поколение мобильной DRAM памяти LPDDR3
Читать полностью »


https://ajax.googleapis.com/ajax/libs/jquery/3.4.1/jquery.min.js