Рубрика «dram» - 3

в 10:11, , рубрики: dimm, dram, linux, rowhammer, Блог компании 1cloud.ru, информационная безопасность, ит-инфраструктура, уязвимости, физические уязвимости

Как получить статус суперпользователя с помощью уязвимости DRAM: Техника Rowhammer - 1

Исследователи информационной безопасности из Google создали эксплойт, который эксплуатирует физические слабости чипов DDR-памяти определенных типов, для повышения прав не-доверенных пользователей на Intel-совместимых компьютерах, работающих под Linux.

В посте в блоге проекта Project Zero специалисты Google описали технику эксплуатации уязвимости, которая заключается в изменении значений отдельных битов данных (bit flipping), хранящихся в модулях чипов DDR3, которые называют DIMM. В прошлом году исследователи доказали, что подобная подмена битов может быть осуществлена с помощью воздействия на небольшие участки памяти, которое приводит к изменению хранящихся там данных. Представители Google показали, как все это может быть использовано для реальной атаки.Читать полностью »

в 8:44, , рубрики: dram, HAMR, Kinetic Open Storage, seagate, ssd, Блог компании Seagate, ленточные накопители, облачные технологии, хранение данных

Джо Фаган, старший директор подразделения облачных инициатив в регионе EMEA, Seagate Technology
image

1. Есть ли место ленточным накопителям в эпоху облачных хранилищ, виртуализации и твердотельной памяти?

Одна из причин, по которой многие компании и организации продолжают использовать ленточные накопители для резервного копирования, аварийного восстановления и долговременного хранения данных, состоит в том, что эта технология дает дополнительные гарантии безопасности. Однако этот подход требует повышенных расходов на управление, транспортировку и хранение ленточных носителей. Кроме того, лента может стать проблемой при длительном хранении данных, ведь многие организации должны иметь доступ к архивам в течение 15 или даже 30 лет.
Отчасти поэтому причин для использования ленточных носителей становится все меньше. Новые технологии, предлагающие повышенную гибкость, надежность, скорость доступа и снижающие стоимость владения, замещают ленту как резервное хранилище. Большинство восстановлений производится с актуальных резервных копий, поэтому удобнее и дешевле использовать для их хранения специализированные устройства или автономные сетевые накопители (D2D backup). Тогда при необходимости резервная копия может быть перемещена на другое устройство или в «облачное» хранилище.

Лента не может конкурировать с диском и в качестве носителя резервных копий для аварийного восстановления. Сетевое хранилище гораздо привлекательнее.
Читать полностью »

в 11:37, , рубрики: ddr3, ddr4, dram, lpddr3, Samsung, Блог компании Samsung

Доброй пятницы!

Компания Samsung запускает решение следующего поколения — новый чип мобильной памяти высокой плотности LPDDR4, тем самым открывая дверь в эру мобильной DRAM-памяти емкостью 4 ГБ для качественно нового уровня производительности мобильных устройств. Массовое производство первых в индустрии 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 по 20-нм тех. процессу уже стартовало. Новый чип мобильной памяти позволит продлить время работы аккумулятора и ускорить загрузку приложений на мобильных устройствах с большим экраном и высоким разрешением изображения.

image
Читать полностью »

в 5:52, , рубрики: dram, информационная безопасность, память, уязвимость

Опубликована статья Yoongu Kim & others. Flipping Bits in Memory Without Accessing Them: An Experimental Study of DRAM Disturbance Errors, описывающая способ изменения содержимого DRAM памяти, не требующий доступа по этому адресу. Фактически это означает нарушение изоляции памяти между процессами или виртуальными машинами. Из проверенных 129 модулей памяти, 110 оказались подвержены уязвимости, в том числе, все модули, выпущенные после 2012 года.

Читать полностью »

в 12:57, , рубрики: 3d tsv, 3D V-NAND, ddr4, dram, rdimm, Samsung, Блог компании Samsung, Железо

Добрый вечер!

Вчера Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с использованием передового техпроцесса класса 20 нм. Микросхемы собираются в единый стек с помощью новейшего метода по сквозному соединению кристаллов под названием TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играть ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.

Samsung начинает массовый выпуск первых в отрасли модулей памяти DDR4 на базе технологии 3D TSV
Читать полностью »

в 9:15, , рубрики: ddr3, dram, nand, Samsung, Блог компании Samsung, Железо, метки: , , ,

Добрый день!

Вчера Samsung объявила о старте массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. Выпуск этой DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти.

image
Читать полностью »

в 5:00, , рубрики: dram, EPROM, SDRAM, ufs, Блог компании Intel, Железо, История ИТ, память, триггер

Тема хранения информации была актуальна во все времена — начиная с рассвета человеческой цивилизации и по сей день. Свой авторский взгляд на историю средств хранения предлагает Джереми Кук, публикующий свои статьи на сайте EETimes.

В продолжение темы об эволюции цифровой памяти я подготовил что-то вроде слайд-шоу, иллюстрирующего этот прогресс. Полный обзор истории памяти – занятие слишком утомительное, поэтому я выбрал список того, что считаю в ней основным. Приглашаю всех высказывать свое мнение о подборке в комментариях.

Письменность

Эволюция памяти – от каменной до электронной
Источник: Университет Чикаго
Еще не электронная и даже не механическая, письменность сама по себе была невероятным открытием. Она позволила не только общаться людям, находящимся в разных местах, но и передавать знания из поколения в поколение. Согласно исследованиям университета Чикаго, письменность появилась около 3500 до н.э. и это событие стало «началом информационной революции». По-моему, лучше и не скажешь.
Читать полностью »

в 9:51, , рубрики: ddr3, dram, lpddr3, Samsung, Блог компании Samsung, Железо, метки: , , ,

Добрый день!

Samsung Electronics объявила о своих успехах в разработке первого промышленного энергоэффективного 8-гигабитного модуля мобильной DRAM-памяти, соответствующего стандарту LPDDR4.

Новая память производится на базе тех. процесса 20-нм класса и несет по одному гигабайту на кристалле, что является самым высоким показателем плотности для DRAM-компонентов на сегодняшнем рынке.

image
Читать полностью »

в 10:05, , рубрики: ddr3, ddr4, dram, samsung electronics, Блог компании Samsung, метки: , , , ,

Samsung Electronics объявила о начале серийного производства новой памяти DDR4, которая предназначена для корпоративных серверов, работающих в составе передовых центров обработки данных.

Использование высокоскоростных чипов памяти DRAM в работе корпоративных серверов следующего поколения значительно повышает производительность системы и снижает уровень энергопотребления. Применяя технологии модулей памяти DDR4 на раннем этапе, ОЕМ-производители могут свести к минимуму эксплуатационные расходы и значительно увеличить производительность, обеспечив, таким образом, более быстрый возврат инвестиций.

image
Читать полностью »

в 10:17, , рубрики: dram, lpddr3, Samsung, Блог компании Samsung, метки: , ,

Добрый день!

Samsung поставила на поток производство модулей памяти LPDDR3 для мобильных устройств, которые обладают самым большим объемом (3 ГБ) среди конкурентов на рынке. Это стало известно на прошлой неделе: компания вновь оказалась «впереди планеты всей» в техническом и технологическом плане. В серийную штамповку ушли первые в индустрии трехгигабайтные образцы маломощной мобильной DRAM-памяти третьего поколения с удвоенной скоростью передачи данных. До настоящего времени самые современные смартфоны и планшеты базировались на 2 ГБ модулях… что ж, настало время для очередного рывка и смены стандартов.

Коротко о новом: Samsung запускает в массовое производство первые модули памяти LPDDR3 объемом 3 ГБ
Читать полностью »

1...234
Главная   |  Архив новостей  |   Android  |   Google  |   Apple  |   Microsoft  |   Информационная безопасность  |   Веб – разработка
Публикации RSS  |  Комментарии RSS
https://ajax.googleapis.com/ajax/libs/jquery/3.4.1/jquery.min.js