В 2016 году в России заработает производство солнечных панелей на полупроводниковых гетероструктурах. Разработчики обещают, что КПД таких панелей будет в два раза выше существующих, а стоимость – в два раза меньше. В разработке концепции принимал участие сам Жорес Иванович Алфёров, российский лауреат Нобелевской премии по физике, полученной за разработку полупроводниковых гетероструктур.
«Изобретение Жореса Ивановича станет основой второго поколения научно-исследовательских опытно-конструкторских работ для массового производства российских солнечных батарей,- рассказал Евгений Теруков, заведующий лабораторией физико-химических свойств полупроводников Физико-технического института им. А.Ф.Йоффе (ФТИ РАН), заместитель генерального директора Научно-технического центра тонкопленочных технологий в энергетике. — Это стало возможно благодаря тому, что Китай обвалил рынок кремния — важнейшего компонента полупроводниковых гетероструктур. Он подешевел с 200 до 20 долларов, сравнявшись со стоимостью стекла».
Читать полностью »
